一、溅射镀膜的优点
1、任何物质均可以溅射，尤其是高熔点、低蒸气压元素和化合物。不论是金属、半导体、绝缘体、化合物和混合物等，只要是固体，不论是块状、粒状的物质都可以作为靶材。由于溅射氧化物等绝缘材料和合金时，几乎不发生分解和分馏，所以可用于制备与靶材料组分相近的薄膜和组分均匀的合金膜，乃至成分复杂的超导薄膜。此外，采用反应溅射法还可制得与靶材完全不同的化合物薄膜，如氧化物、氮化物、碳化物和硅化物等、�br/> 2、溅射膜与基板之间的附着性好、�br/> �?）溅射原子的能量比蒸发原子能量高1-2个数量级，因此，高能粒子淀积在基板上进行能量转换，产生较高的热能，增强了溅射原子与基板的附着力、�br/> �?）一部分高能量的溅射原子将产生不同程度的注入现象，在基板上形成一层溅射原子与基板材料原子相互“混溶”的所谓的扩散层、�br/> �?）在溅射粒子的轰击过程中，基板始终处于等离子区中被清洗和激活，清除了附着不牢的淀积原子，净化且活化基板表面。因此，使得溅射膜层与基板的附着力大大增强、�br/> 3、溅射镀膜密度高，针孔少，且膜层的纯度较高。因为在溅射镀膜过程中，不存在真空蒸镀时无法避免的蒸发源污染现象、�br/> 4、膜厚可控性和重复性好。由于溅射镀膜时可通过控制靶电流来控制膜厚。所以，溅射镀膜的膜厚可控性和多次溅射的膜厚再现性好，能够有效地镀制预定厚度的薄膜、�br/> 5.溅射镀膜还可以在较大面积上获得厚度均匀的薄膜、�br/>二、溅射镀膜的缺点
溅射镀�?主要是二极溅�?的缺点是９�br/> 1、溅射设备复杂、需要高(�?压装置；
2.溅射淀积的成膜速率�?真空蒸镀淀积速率�?.1�?μm／min，而溅射速率则为0.01一0.5μm／min)、�br/> 3.基板温升较高，易受杂质气体影响。由于射频溅射和磁控溅射技术的发展，在实现快速溅射淀积和降低基板温度方面已获得了很大的进步、�/span>