金薄膜蚀刻剂在光刻法制作微电å线路ä¸ç”¨ä»¥é€‰æ‹©èš€åˆ»é‡‘。和光刻技术相结åˆè¿™äº›èš€åˆ»å‰‚å¯åœ¨æ°§åŒ–铿ˆ–其他基æ¿ä¸Šçš„薄膜上制作精密电æžå’Œç”µé˜»å›¾æ¡ˆã€‚
金蚀刻液GE-8148:选择性的蚀刻液å¯åœ¨é•è†œä½¿ç”¨ï¼Œè¾ƒå¿«çš„èš€åˆ»é€ŸçŽ‡ã€‚å¯æ¶ˆé™¤åœ¨ç§å层快速的侧å‘蚀刻。
ä¸å«æ°°åŒ–ç‰©ï¼Œä¸æµ¸èš€é•膜。
金蚀刻液TFA:高纯度ã€ä½Žé’ ã€0.2um过滤的蚀刻液å¯ç”¨äºŽåŠå¯¼ä½“和微电å领域,蚀刻金和é•。
ä¸å«æ°°åŒ–ç‰©ï¼Œç”¨äºŽåˆ¶ä½œæ ‡å‡†äº§å“。
| TFA | GE-8148 |
æ“作温度 | 室温 | 室温 |
通风 | 建议用通风橱 | 建议用通风橱 |
æ…æ‹Œ | æ…æ‹Œå¯åŠ å¿«èš€åˆ»é€ŸçŽ‡ | æ…æ‹Œå¯åŠ å¿«èš€åˆ»é€ŸçŽ‡ |
ç½ | 玻璃 | 玻璃 |
蚀刻速率,25℃ | 28 Š/秒 | 50 Š/秒 |
ç»„æˆ | 液体ä¸å«KI-I2络åˆç‰© | 液体ä¸å«KI-I2络åˆç£·é…¸ç›åŒ–åˆç‰© |
PH(20℃) |
| 8.15±0.2 |
密度(20℃) |
| 1.265±0.01 |
蚀刻能力(g/åŠ ä»‘ï¼‰ | 100 | 100 |
å…‰åˆ»èƒ¶ç›¸åŒ¹é…æ€§ | æ£ï¼Œè´Ÿæ€§å…‰åˆ»èƒ¶ | æ£ï¼Œè´Ÿæ€§å…‰åˆ»èƒ¶ |
冲洗 | è’¸æºœæ°´ï¼ŒåŽ»ç¦»åæ°´ | è’¸æºœæ°´ï¼ŒåŽ»ç¦»åæ°´ |
åºŸæ¶²å¤„ç† | æŒ‰å›½å®¶æœ‰å…³è§„å®šå¤„ç† |
