CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（� Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和合金（� Co-Ni，Au-Ni，Ni-Mo，不锈钢）。不同的基底材料通过 CVD 制备石墨烯的机理各不相同，主要分为两种制备机理：渗碳析碳机制，即高温时裂解后的碳渗入基底中，快速降温时在表面形成石墨烯；表面催化机制，即高温时裂解后的碳接触特定金属时（如铜），在表面形成石墨烯，并保护样品抑制薄膜继续沉积，因此这种机制更容易形成单层石墨烯、�/span>

在实际应用中，CVD 石墨烯膜的合成方法可能会因具体的实验需求和条件而有所不同。研究人员通常会根据目标性能和应用场景，对合成过程进行优化和调整。同时，新的合成方法和技术也在不断发展和探索中，以提高石墨烯膜的质量和性能、�/span>

通常，先在金属基底上生长石墨烯，再旋涂PMMA,转移到氧化硅、石英、玻璃、PET或者铜网等基底上、�/span>

技术参�?/strong>

面积�?cmx1cm

层数：单层、双层�?-5层�?-8屁�/span>

产品特点

高品质：具有较高的纯度和结晶度；

良好的电学性能：载流子迁移率高，电阻率小；

高透明度：对可见光具有良好的透过性；

机械强度高：具有较好的柔韧性和耐受力；

化学稳定性好：在常温下表现出良好的稳定性、�/span>

应用

电子器件：如场效应晶体管、电容器等；

光学器件：透明导电薄膜、触摸屏等；

传感器：化学传感器、生物传感器等；

能源领域：如太阳能电池、超级电容器等；

复合材料：与其他材料复合，提升性能、�/span>

订货信息

产品编号	包装	纯度规格
VBG-XF012	1 监�/td>	单层，面�?cmx1cm
VBG-XF012	1 监�/td>	双层，面�?cmx1cm
VBG-XF012	1 监�/td>	3-5层，面积1cmx1cm
VBG-XF012	1 监�/td>	6-8层，面积1cmx1cm