说明
金薄膜蚀刻剂在光刻法制作微电å线路ä¸ç”¨ä»¥é€‰æ‹©èš€åˆ»é‡‘。和光刻技术相结åˆè¿™äº›èš€åˆ»å‰‚å¯åœ¨æ°§åŒ–铿ˆ–其他基æ¿ä¸Šçš„薄膜上制作精密电æžå’Œç”µé˜»å›¾æ¡ˆã€‚å…¶çº¯åº¦é«˜é’ å«é‡ä½Žï¼Œ0.2微米过滤,å¯ç”¨äºŽåŠå¯¼ä½“和微型电å产å“。
金蚀刻剂TFA,ä¸å«æ°°åŒ–ç‰©ï¼Œç”¨äºŽåˆ¶ä½œæ ‡å‡†äº§å“
金蚀刻剂GE-8148,ä¸å«æ°°åŒ–ç‰©ï¼Œä¸æµ¸èš€é•膜
| TFA | GE-8148 |
æ“作温度 | 室温 | 室温 |
通风 | 建议用通风橱 | 建议用通风橱 |
æ…æ‹Œ | æ…æ‹Œå¯åŠ å¿«èš€åˆ»é€ŸçŽ‡ | æ…æ‹Œå¯åŠ å¿«èš€åˆ»é€ŸçŽ‡ |
ç½ | 玻璃 | 玻璃 |
蚀刻速率,25℃ | 28 Š/秒 | 50 Š/秒 |
ç»„æˆ | 液体ä¸å«KI-I2络åˆç‰© | 液体ä¸å«KI-I2络åˆç£·é…¸ç›åŒ–åˆç‰© |
PH(20℃) |
| 8.15±0.2 |
密度(20℃) |
| 1.265±0.01 |
蚀刻能力(g/åŠ ä»‘ï¼‰ | 100 | 100 |
å…‰åˆ»èƒ¶ç›¸åŒ¹é…æ€§ | 阴,阳光刻胶 | 阴,阳光刻胶 |
冲洗 | è’¸æºœæ°´ï¼ŒåŽ»ç¦»åæ°´ | è’¸æºœæ°´ï¼ŒåŽ»ç¦»åæ°´ |
åºŸæ¶²å¤„ç† | æŒ‰å›½å®¶æœ‰å…³è§„å®šå¤„ç† |
æ‚质最大å«é‡ | (ppm) |
é’ ï¼ˆNa) | 40 |
氯和溴(CL) | 100 |
é“…(Pb) | 5 |
é“(Fe) | 3 |
ç¡«(作为硫酸ç›) | 50 |
磷(作为磷酸ç›) | 10 |