产品用途：
此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验、/p>
产品组成９/p>
此款CVD系统配置９/p>
1.1200度开启式真空管式炉（可选配单温区、双温区）、/p>
2.多路质量流量控制系统
3.真空系统（可选配中真空或高真空）
产品特点９/p>
1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单、/p>
2 气路快速连接法兰结构采用本公司独有的知识产权专利设?提高操作便捷性、/p>
3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵
防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命、/p>
| 系统名称 |
1200℃单/双温区CVD系统 |
| 系统型号 |
CVD-12II-3Z/G |
CVD-12II6-3Z/G |
| 最高温?/td> |
1200ℂ/td> |
| 加热区长?/td> |
420mm |
600mm |
| 恒温区长?/td> |
280mm |
390mm |
| 温区 |
双温匹/td> |
双温匹/td> |
| 石英管管徃/td> |
50/60/80mm |
80/100mm |
| 额定功率 |
3.2Kw |
4.8Kw |
| 额定电压 |
220V |
| 温度控制 |
国产程序控温系统50段程序控温； |
| 控制精度 |
1ℂ/td> |
| 炉管最高工作温?/td> |
?200ℂ/td> |
| 气路法兰 |
密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术，在密封法兰与管外壁间形成了密封，在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效，该密封法兰的安装只需?*次使用设备的时候安裄/td> |
| 气体控制方式 |
质量流量讠/td> |
| 气路数量 |
3路（可根据具体需要选配气路数量（/td> |
| 流量范围 |
0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标宙/td> |
| 精度 |
1%F.S |
| 响应时间 |
?sec |
| 工作温度 |
5-45ℂ/td> |
| 工作压力 |
进气压力0.05-0.3Mpa(表压力） |
| 系统连接方式 |
采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪 |
| 规格 |
高真穹/td> |
| 系统真空范围 |
1x10-3Pa-1x10-1Pa |
| 真空泴/td> |
真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1200L/S额定电压220V 功率2KW |
真空分子泵理论极限真空度5x10-6Pa抽气速度1600L/S额定电压220V 功率2KW |
| 炉体外形尺寸 |
340580555mm |
480770605mm |
| 系统外形尺寸 |
530x1440x750mm(不含高真? |
| 系统总重野/td> |
330kg |
